
| 性能指標(biāo): | |||
| 
	  芯片尺寸: 
	 | 
	
	  1.2X1.2mm2 
	 | 
	
	  敏感區(qū)域: 
	 | 
	
	  0.8X 0.8mm2 
	 | 
	
| 
	  視場角度: 
	 | 
	
	  80度 
	 | 
	
	  電阻: 
	 | 
	
	  140±30kΩ 
	 | 
	
| 
	  噪聲: 
	 | 
	
	 29±2nV/Hz1/2 
	 | 
	
	  NEP: 
	 | 
	
	  0.6nW/Hz1/2 
	 | 
	
| 
	  響應(yīng)度: 
	 | 
	
	  80V/W 
	 | 
	
	  電阻溫度系數(shù): 
	 | 
	
	  0.06%/℃ 
	 | 
	
| 
	  時(shí)間常數(shù): 
	 | 
	
	  15ms 
	 | 
	
	  探測率: 
	 | 
	
	  0.63 E08cmHz1/2/W 
	 | 
	
| 
	  熱敏電阻阻值: 
	 | 
	
	  100 ± 2%KΩ 
	 | 
	
	  熱敏電阻Beta值: 
	 | 
	
	  3950 ± 1%K 
	 | 
	
| 
	  工作溫度: 
	 | 
	
	  -30~+100℃ 
	 | 
	
	  貯存溫度: 
	 | 
	
	  -40~+125℃ 
	 | 
	
| 
	  測試條件: 1. 溫度= 25℃ 2. 500K,5.5μm,(長通) 3. 500K,1赫茲 
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